“第三代半導(dǎo)體紫外探測材料及器件關(guān)鍵技術(shù)”項(xiàng)目 課題績效評價(jià)會議報(bào)道

杰生半導(dǎo)體  楊天鵬報(bào)道

    2021年9月11日，國家重點(diǎn)研發(fā)計(jì)劃戰(zhàn)略性先進(jìn)電子材料重點(diǎn)專項(xiàng)“第三代半導(dǎo)體紫外探測材料及器件關(guān)鍵技術(shù)”項(xiàng)目課題績效評價(jià)會議在無錫融創(chuàng)皇冠假日酒店舉行。項(xiàng)目由南京大學(xué)陸海教授做為總負(fù)責(zé)人，由華中科技大學(xué)、南京大學(xué)、東南大學(xué)、華東師范大學(xué)、中山大學(xué)、清華大學(xué)、西安交大、廈門大學(xué)、中科院長春光機(jī)所、中電55所等多所知名科研院所和杰生半導(dǎo)體、思源電氣、東莞天域半導(dǎo)體等多家知名企業(yè)共同參與研發(fā)工作。項(xiàng)目績效評價(jià)專家組由北京大學(xué)沈波教授、蘇州長光華芯光電技術(shù)股份有限公司廖新勝研究員、中科院蘇州納米所徐科研究員等7名知名專家組成。楊天鵬博士代表杰生半導(dǎo)體參會。 

    項(xiàng)目總負(fù)責(zé)人南京大學(xué)陸海教授代表項(xiàng)目組首先代表課題組向?qū)＜医M各位專家匯報(bào)項(xiàng)目的總體情況。項(xiàng)目進(jìn)展順利，各項(xiàng)指標(biāo)均達(dá)到驗(yàn)收要求。 

 之后由項(xiàng)目所屬的四個(gè)子課題負(fù)責(zé)人分別做各自的項(xiàng)目進(jìn)展情況匯報(bào)，依次為子課題一“寬禁帶半導(dǎo)體雪崩光電探測器外延關(guān)鍵技術(shù)”負(fù)責(zé)人華中科技大學(xué)陳長清教授、子課題二“高增益紫外雪崩光電探測器與成像芯片制備技術(shù)”負(fù)責(zé)人南京大學(xué)陸海教授、子課題三“寬禁帶半導(dǎo)體雪崩光電探測器物理與新結(jié)構(gòu)器件”負(fù)責(zé)人南京大學(xué)陳敦軍教授、子課題四“紫外探測陣列讀出電路與成像系統(tǒng)集成技術(shù)”成員東南大學(xué)鄭麗霞副教授（代負(fù)責(zé)人孫偉鋒教授）。

杰生半導(dǎo)體參與子課題一的研發(fā)工作，承擔(dān)高Al組分AlGaN薄膜厚度與均勻性優(yōu)化工作，由陳長清教授介紹。

     結(jié)題指標(biāo)為AlGaN薄膜的Al組分≥0.4，厚度不均勻性＜3%，委托檢測的結(jié)果是AlGaN薄膜中的Al組分為0.588，厚度不均勻性為2.709%，均完成結(jié)題指標(biāo)要求。

 專家組對項(xiàng)目結(jié)題指標(biāo)、申請專利、發(fā)表論文等情況進(jìn)行了詳細(xì)地檢查和詢問，一致認(rèn)為項(xiàng)目總體進(jìn)展順利，達(dá)到結(jié)題要求。最后各位專家和項(xiàng)目組成員合影留念。